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导读：很多朋友不知道芯片电容的新结构，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容的新结构
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一种电容式芯片结构②
或下极板（3） 、中间极板（4） 和上极板（6） 的组合为多组，沿竖向布置；上方组的中间极板（4） 为相邻下方组的上极板（6） ；上方组的下极板（3） 为相邻下方组的中间极板（4） ；最上方组的上极板（6） 和最下方组的下极板（3） 为感压极板; 上方组的上极板（6） 、上方组的下极板（3） 接极性的电信号，上方组的中间极板（4） 和相邻下方组的下极板（3） 接第二极性的电信号，极性与第二极性相反。作为另一种优选方案，本实用新型所述下极板（3） 、中间极板（4） 和上极板（6）的组合为两组，沿竖向布置；上方组的下极板（3） 为下方组的上极板（6） ; 上方组的上极板（6） 和下方组的下极板（3） 为感压极板; 上方组的上极板（6） 、上方组的下极板（3） 和下方组的下极板（3） 接极性的电信号，上方组的中间极板（4） 和下方组的中间极板（4） 接第二极性的电信号，极性与第二极性相反。作为另一种优选方案，本实用新型所述中间极板（4） 上设置有介质层
作为另一种优选方案，本实用新型所述下极板（3） 设置在衬底（2） 。作为另一种优选方案，本实用新型所述衬底（2） 下端设置有垫块。作为另一种优选方案，本实用新型所述下极板（3） 外端向外延伸，向外延伸部的外端设置在衬底（2） 上，该向外延伸部上设置有通孔形成进压腔使下极板感压；作为另一种优选方案，本实用新型在所述衬底上设置通孔形成进压腔使下极板感压。作为另一种优选方案， 本实用新型所述上密封腔体的高度大于下密封腔体的高度。作为另一种优选方案， 本实用新型所述上密封腔体的长度大于下密封腔体的长度。作为另一种优选方案，本实用新型所述上极板（6）的厚度小于中间极板（4） 和下极板（3）的厚度。作为另一种优选方案，本实用新型所述衬底（2） 为单晶硅衬底。其次，本实用新型所述下极板（3） 下方为进压腔（1） ，下极板（3） 为感压极板，中间极板（4） 为可动极板，上极板（6） 为感压极板。另外，本实用新型所述上、中、下三个极板通过压焊点及金属引线（8） 或压焊点与外部电路连接。本实用新型结构使用时，上极板感可用作感压极板，上极板（6） 与中间极板（4） 形成感压可变电容，中间极板（4） 和下极板（3） 可形成感压不变电容，将两个电容联接形成差分电容结构，抗共模干扰信号，输出特性更好。对比现在普遍应用平面排列的差分电容结构芯片，本实用新型更节省芯片面积，芯片面积可减小约二分之一。
推荐产品一、丽芯微电10000pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
型号：C12-90-25V-103
容值/容差：10000pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
推荐产品二、丽芯微电1000pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
型号：C12-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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